HBM4 경쟁 본격화, SK하이닉스와 삼성전자의 맞대결

 

HBM4 경쟁 본격화, SK하이닉스와 삼성전자의 맞대결

 

HBM4 경쟁, SK하이닉스와 삼성전자

HBM4 경쟁 불붙는다, SK하이닉스 "초격차 유지" 삼성전자 "이번엔 다르다"

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차세대 고 대역폭 메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스와 삼성전자의 경쟁이 더욱 치열해지고 있습니다. SK하이닉스는 HBM4 양산에서 앞서가며 ‘초격차’를 유지하려 하고, 삼성전자는 새로운 미세공정 기술을 통해 만회하겠다는 전략을 내세우고 있습니다.

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SK하이닉스, HBM4 선제적 양산 준비

SK하이닉스는 지난 19일 세계 최초로 HBM4 12단 제품의 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔습니다. 이는 엔비디아 젠슨 황 CEO가 지난해 말 요청했던 HBM4 개발 일정을 6개월 앞당긴 결과입니다. SK하이닉스는 인증 절차를 마친 후 올해 말 본격적인 양산을 시작할 계획입니다.

HBM4는 기존 HBM3E 대비 속도가 60% 향상되고 전력 소모량은 70% 수준으로 줄어든 차세대 제품입니다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사는 HBM3E에 이어 HBM4에서도 초격차를 유지하기 위해 CMOS 이미지 센서(CIS) 사업 철수를 결정하며 선택과 집중 전략을 펼치고 있습니다.

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삼성전자, HBM4로 반격 나선다

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삼성전자는 HBM3E 경쟁에서 뒤처진 만큼, HBM4에서는 같은 실수를 반복하지 않겠다는 의지를 보이고 있습니다. 전영현 삼성전자 DS 부문장 대표이사 부회장은 지난 19일 정기 주주총회에서 “HBM4 시장에서는 기술 리더십을 확보해 신뢰를 회복하겠다"라고 밝혔습니다.

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삼성전자는 1c(1112나노) 공정을 도입하여 경쟁사의 1b(1213나노) 공정보다 한 단계 더 앞선 기술력을 확보하려 하고 있습니다. 1c 공정은 속도가 10% 더 빠르고, 전력 효율이 약 10% 개선되는 것으로 평가됩니다. 또한, 더 작은 면적에 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 HBM4의 용량 증가에도 유리한 것으로 분석됩니다.

 

삼성전자, 생산 라인 구축 및 수율 문제

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삼성전자는 지난해 말부터 평택 공장에 HBM4 전용 생산라인을 구축하고 시범 생산을 진행하고 있습니다. 서승연 DB 투자증권 연구원은 “삼성전자가 주요 GPU 제조사에 1c 기반 HBM4를 선제 공급한다면 상승 기회를 얻을 수 있다"라고 분석했습니다.

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그러나 1c 공정 수율 개선이 예상보다 더디게 진행되고 있다는 점이 리스크로 작용할 수 있습니다. 이에 따라 삼성전자는 최근 설계를 변경하여 칩 크기를 키우는 방향으로 조정한 것으로 알려졌습니다. 이는 성능과 생산성을 일부 포기하는 대신 안정적인 양산 체제를 빠르게 구축하기 위한 전략으로 해석됩니다. 해당 설계 변경이 적용된 1c D 램의 수율 결과는 오는 6월경 확인될 것으로 보입니다.

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향후 전망

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박유악 키움증권 연구원은 “삼성전자의 1c 나노 공정 기술 문제점이 점진적으로 해결되고 있으며, HBM4가 적용될 엔비디아 ‘루빈’의 출시가 지연될 가능성이 있어 삼성전자가 기술 격차를 줄일 기회가 될 수 있다"라고 분석했습니다.

SK하이닉스와 삼성전자의 HBM4 경쟁이 본격화되면서, 글로벌 반도체 시장에서의 주도권 경쟁이 더욱 뜨거워질 전망입니다. 앞으로 두 기업이 어떤 전략을 통해 시장을 공략할지 귀추가 주목됩니다.